美國擬禁售半導體設備予中國 韓媒:三星、SK 海力士受害大

報導指出,美方此次計畫禁止對中國銷售用於製造 128 層堆疊以上的 NAND 快閃記憶體晶片設備,目前尚處於初步討論階段,暫無起草計畫。

鎧俠北上工廠將蓋全新 K2 廠房,強化 3D 快閃記憶體生產能力

計劃 2022 年 4 月動工, 2023 年完工。