速度超越快閃卻耐用 3000 倍的記憶體進化了!IBM 改寫藍光光碟技術,儲存密度變三倍

IBM 今天公布一種方法,能更有效地使用相變化記憶體,這個突破能讓傳統電子設備的記憶儲存比快閃和 RAM 更快更可靠。
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根據 The Verge 報導, IBM 今天公布一種方法,能更有效地使用相變化記憶體,這個突破能讓傳統電子設備的記憶儲存比快閃更快,比 RAM 更可靠。

相變化記憶體(Phase-change memory, PCM)是一種 非揮發性 ,永久性記憶體,透過操縱硫化玻璃的原理來儲存資料,常用在可複寫式藍光光碟。原本雜亂無章的 PCM 儲存單元通電以後就會變成結晶狀排列,這兩種排列方式就分別代表了 0 和 1 ,然後再施以微量電壓就能讀取資料。

根據 IBM 聲明稿,過去這種儲存方式最大的問題是,容量有限且價格過高。原本一個儲存單元只能存 1 bit,在常見的筆電或手機上都難以應用。現在 IBM 找出每個儲存單元能儲存 3 bit 的方法,利用 PCM 高溫下的特性,進入 PCM 儲存單元的多重狀態。因為提升了儲存密度,PCM 的成本將大幅降低,低於 DRAM ,來到接近快閃的程度。

應用上來說,IBM 表示它可以取代電腦的 RAM,或者在手機上混合 PCM 和快閃記憶體來加快存取速度。「比如說手機的作業系統可以用 PCM 儲存,不用花幾秒就能開機。」IBM 的新聞稿提到,「公司也能用 PCM 取代 RAM 來儲存資料庫,讓查詢更快速,可以應用在分秒必爭的網路服務,比如金融交易上。」

另外,像是人工智慧、機器學習也能運用 PCM 來降低處理大量資料的延遲。

在穩定性來說,快閃記憶體一般能夠讀寫 3000 次,而 PCM 則是能達到 1000 萬次,可見這項技術有大幅改變產業的潛力。

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飛宏科技推出業界最高功率密度電競筆電電源-280W GaN 充電器

飛宏科技新推出專為電競筆電設計的 280W GaN 高功率電源充電器,結合電路設計與製造工藝之最,帶給終端使用者前所未有小型化、輕量化、與頂規化的使用體驗。
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Photo Credit:飛宏科技
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飛宏科技在 2021 年底推出全新 280W GaN(氮化鎵)高功率電競筆電電源,超緊湊尺寸 160*69*25mm(276cc)與 700g 輕量化設計,使其功率密度突破業界多年來設計極限,達到眾所期盼的 16W/in3(1W/CC) ,因而相較一般市面販售相同輸出功率產品,體積縮小約 50%,重量減輕約 30%,大小重量相當於一般 180W 電源。

飛宏科技這款電競電源的設計研發—電路上結合了高效率拓樸結構、零電壓零電流軟切換技術、新型 GaN 半導體元件、與自主開發數位控制機制等技術;工藝上則採用了 3D 零件配置與佈線技巧、功率模組設計、及獨特 GaN 生產製程管控,最終成就了品牌客戶與終端使用者所冀求真正輕、薄、窄、小的高功率充電器,為電源業界與電競市場帶來突破性的研發創新亮點。

Photo Credit:飛宏科技

安全可靠 280W GaN 頂級規格充電器

飛宏科技表示,目前市面上所謂的 GaN 電源都著重強調在所謂的小型化,但往往都忽略電源設計更應重視安全性、可靠度、及滿足終端使用者真實的使用情境。飛宏科技此款新小型化電源已取得各項國際安規認證包括 IEC/EN/UL 60950-1 & 62368-1、CCC(5000m)及電磁相容(EMC) 認證包括 EN55032 Class B EMI & EN55024 EMS 等規範。

此款電源更是針對高階電競筆電應用需求如:支援高階處理器及顯示器的瞬間峰值功率拉載、玩家日以繼夜的重度使用、酷炫輕薄的外型、與輕巧好收納及攜帶方便等,同步提供以下的頂級規格及功能:

● > 95% 滿載轉換效率與 < 0.2W 空載待機損耗

● 560W(200% 額定功率)瞬間峰值功率輸出

● 3 年/26,280 小時,滿載高溫下長壽命保證

● 五種數位化安全保護機制

● 2 公尺輸出線上不需加任何 EMI 磁芯輔助即能通過 EMI 認證

● < 150uA 低漏電電流

電競筆電首選  極緻設計之展現

近年來電競筆電產業蓬勃發展,品牌廠商無不卯足全力導入最新軟硬體技術與材料來提升性能,使產品設計上能不斷推陳出新,以滿足電競玩家挑剔與追求極緻體驗的渴望,唯在配角「電源充電器」上無太多創新,而導致玩家也只能默默接受彩盒中所附帶大而笨重的電源。

飛宏科技新推出這款專為電競筆電設計的 280W GaN 高功率電源充電器,結合電路設計與製造工藝之最,突破過往的設計瓶頸與極限,可充分帶給終端使用者前所未有小型化、輕量化、與頂規化的使用體驗。

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