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三星聲稱：3 奈米技術領先台積電
Jeong Eun-seung 在該廠技術論壇中發表專題演講時指出：「三星開發中的 GAA 技術，領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。」
本文來自合作媒體聯合新聞網，INSIDE 授權轉載。
台積電近期搶盡全球媒體與投資人目光之際，南韓三星電子出面喊話，強調該公司在 3 奈米採用環繞閘極（GAA）架構的研發進度將可領先台積電，不讓台積電專美於前。
南韓媒體 Business Korea 報導，三星電子裝置解決方案事業部門技術長 Jeong Eun-seung 周三（25 日）在一場網路技術論壇中，釋出上述訊息。對於相關報導，台積電不回應競爭對手相關動態消息。
Jeong Eun-seung 在該廠技術論壇中發表專題演講時指出：「三星開發中的 GAA 技術，領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。」
三星表示，與台積電在技術方面的競爭近身肉搏，Jeong 說：「三星的晶圓代工事業 2017 年才開始，不過我們將以在記憶晶片領域的技術根基，超車台積電。」他舉例，三星曾在台積電之前，就將鰭式場效電晶體（FinFET）技術應用在一項 14MHz 產品。
Business Korea 指出，GAA 是 3 奈米製程的關鍵，全球大型晶圓廠不久的將來將會採用這項技術。GAA 技術的優點在於改變電晶體架構，將其由鰭式場效電晶體（FinFET）的 3D 轉為 GAA 的 4D。三星 2019 年與客戶測試其所設計的 3 奈米製程，結果顯示，GAA 技術縮減晶片面積程度達到 45%，功率效率增加 50%。
不過，半導體業分析師強調，誰可以率先將 GAA 技術商業化，還需要再觀察，主因以 2011 年到 2020 年全球申請 GAA 相關專利的案件數來看，台積電占比為 31.4%，比三星的 20.6% 還要多。台積電也非常活躍，想搶先將 GAA 商業化。
據了解，台積電明年 3 奈米量產計畫仍順利進行中，並且有信心鰭式場效電晶體（FinFET）架構更獲得客戶支持，因此將研發技術實際運用於明年量產上有客戶群廣泛優勢。
台積電業務開發副總張曉強日前在技術論壇上透露，台積電認為繼續採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構開發 3 奈米製程，是能幫助客戶取得成功的最佳方案。
台積電先前已預期，3 奈米效能可較 5 奈米提升 10% 至 15%，功耗減少 25% 至 30%，邏輯密度增加 1.7 倍，SRAM 密度提升 1.2 倍、類比密度則提升 1.1 倍等。目標 3 奈米量產第一年，客戶產品量能達到 5 奈米兩倍以上，廣泛應用於智慧機與高速運算（HPC）平台。
責任編輯：Chris
核稿編輯：Anny
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