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路透社報導稱，三星電子表示已開發出全球最小的動態隨機存取記憶體 (DRAM) 晶片，較競爭對手的技術領先優勢擴大。
三星電子稱使用第二代 10 奈米級工藝生產出了 8Gb DDR4 晶片，第二代 10 奈米級晶片比第一代晶片快 10%，功耗降低 15%。
受半導體業務帶動，該公司今年營業利潤料創下紀錄高點。三星在聲明中稱，「第二代」10 奈米級 8Gb DRAM 晶片的功耗和數據處理性能均改善，將用於雲端計算中心、行動設備和高速顯卡等高階數據處理電子產品。
三星稱，將在 2018 年把多數現有 DRAM 生產轉為 10 奈米級晶片。該公司在電腦晶片、電視和智慧手機產業全球領先。
三星電子記憶晶片部門 (Memory Business) 總裁 Gyoyoung Jin 稱，這一「積極的」生產擴張，將「適應市場的旺盛需求。」
三星電子在 10 月底任命了半導體等三個主要業務部門新一代主管後，稱眼前不會尋求擴大晶片出貨，但著重於投資，以維護長期市場地位。